4 月 11 日，A 股市場半導(dǎo)體板塊逆勢上揚(yáng)，汽車芯片、MCU 芯片、EDA 工具、存儲芯片等細(xì)分領(lǐng)域全線飄紅，國產(chǎn)芯片概念股走出獨(dú)立行情。此輪上漲背后，既反映了世貿(mào)規(guī)則重構(gòu)期的產(chǎn)業(yè)激烈博弈，也預(yù)示著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政策反制、國產(chǎn)替代與資本加持三重驅(qū)動下，迎來戰(zhàn)略機(jī)遇期的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。
一、關(guān)稅交鋒背后的產(chǎn)業(yè)攻防：從貿(mào)易摩擦到技術(shù)突圍
美國商務(wù)部近期對華半導(dǎo)體產(chǎn)品實(shí)施“組合拳式”關(guān)稅政策，2 月 4 日首輪征收 10%關(guān)稅，3 月 4 日追加 10%，4 月 2 日又突然加碼至 34%，最終于 4 月 10 日形成累計(jì) 145%的懲罰性關(guān)稅壁壘。這種非常規(guī)貿(mào)易手段不僅違背 WTO 最惠國待遇原則，更直接沖擊全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的精密分工體系。
中國海關(guān)總署迅速采取“鏡像反制”，4 月 10 日起對美國進(jìn)口商品加征 84%關(guān)稅，并形成“時(shí)空差”規(guī)則（4 月 10 日前已啟運(yùn)貨物可享受關(guān)稅豁免期）。更具影響力的是中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會同步推出的“流片地原產(chǎn)地認(rèn)定”新規(guī)，將芯片原產(chǎn)地與晶圓制造地深度綁定，精準(zhǔn)打擊美系半導(dǎo)體企業(yè)的避稅策略。
據(jù)國信證券測算，若以 2024 年中國自美進(jìn)口半導(dǎo)體產(chǎn)品 1100 億元為基數(shù)，疊加美方 145%關(guān)稅和中方 84%反制關(guān)稅，理論進(jìn)口成本將激增 229%。這將促使國內(nèi)終端廠商加速驗(yàn)證國產(chǎn)芯片，預(yù)計(jì)在 18 - 24 個月內(nèi)推動本土供應(yīng)鏈滲透率提升 15 - 20 個百分點(diǎn)。
二、原產(chǎn)地新規(guī)的技術(shù)解構(gòu)：精準(zhǔn)打擊與產(chǎn)業(yè)鏈重塑
新規(guī)明確以晶圓流片地作為集成電路原產(chǎn)地判定核心標(biāo)準(zhǔn)，打破了美系廠商“境外流片 + 本土封裝”規(guī)避關(guān)稅的傳統(tǒng)模式。例如，英偉達(dá) A100 GPU 采用臺積電 N5 工藝流片，即便最終封裝測試在馬來西亞完成，仍會被認(rèn)定為“中國臺灣地區(qū)原產(chǎn)地”，適用復(fù)合關(guān)稅政策。
新規(guī)實(shí)施后，紫光展銳、中芯國際等本土晶圓廠流片訂單大幅增加。上海新陽披露其 KrF 光刻膠在本土晶圓廠認(rèn)證周期縮短 40%，長江存儲 128 層 3D NAND 閃存良率突破 95%。這種需求側(cè)倒逼機(jī)制加速了國產(chǎn)設(shè)備材料從“驗(yàn)證期”向“量產(chǎn)期”的轉(zhuǎn)變。
ASML、應(yīng)用材料等設(shè)備商開始調(diào)整全球產(chǎn)能布局。據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會（SEMI）統(tǒng)計(jì)，2025 年一季度中國大陸地區(qū)設(shè)備招標(biāo)量環(huán)比增長 68%。這一產(chǎn)能轉(zhuǎn)移既是中國反制措施的戰(zhàn)略成果，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體地緣格局的重構(gòu)趨勢。
三、大基金三期的戰(zhàn)略布局：資本杠桿撬動技術(shù)發(fā)展
國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期（大基金三期）注冊資本達(dá) 3440 億元，通過“母子基金”架構(gòu)發(fā)揮資本放大效應(yīng)。已披露的華芯鼎新（930 億）、國投集新（710 億）、國家 AI 基金（600 億）三大投資平臺，構(gòu)建起涵蓋制造、設(shè)計(jì)、AI 的立體投資網(wǎng)絡(luò)。
大基金三期投資呈現(xiàn)三個特點(diǎn)：一是聚焦 14nm 以下先進(jìn)制程，長江存儲、長鑫存儲連續(xù)獲得產(chǎn)能擴(kuò)充分期注資；二是強(qiáng)化 EDA 工具國產(chǎn)化，概倫電子、華大九天在先進(jìn)封裝建模、模擬 IP 領(lǐng)域獲戰(zhàn)略投資；三是布局 Chiplet 技術(shù)生態(tài)，通富微電、芯原股份在 2.5D/3D 封裝領(lǐng)域取得突破進(jìn)展。
大基金三期通過“投資 + 訂單”模式推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。北方華創(chuàng)的 28nm 離子注入機(jī)進(jìn)入中芯國際量產(chǎn)線，中微公司的 5nm 刻蝕機(jī)在長江存儲實(shí)現(xiàn)萬片級驗(yàn)證，滬硅產(chǎn)業(yè)的 12 英寸硅片在華潤微實(shí)現(xiàn)全面替代。這種“資本 - 技術(shù) - 市場”的三角聯(lián)動，重塑了本土供應(yīng)鏈的技術(shù)韌性。
四、全球半導(dǎo)體周期中的中國機(jī)遇：國產(chǎn)化上行通道
WSTS 數(shù)據(jù)顯示，2024 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá) 6280 億美元，同比增速 19.1%。本輪上行周期具有三大特征：AI 算力需求驅(qū)動邏輯芯片增長，汽車電子催生功率器件需求，先進(jìn)封裝拓展異構(gòu)集成空間。
中芯國際財(cái)報(bào)顯示，其 28nm 工藝良率已達(dá) 98%，與臺積電差距縮小至 2 個百分點(diǎn)以內(nèi)。在設(shè)備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)的 PVD 設(shè)備占據(jù)本土市場 65%份額，中微公司的介質(zhì)刻蝕機(jī)在全球市場份額突破 8%。這些關(guān)鍵數(shù)據(jù)表明，本土供應(yīng)鏈已在多個節(jié)點(diǎn)達(dá)到“可用 - 好用”的臨界狀態(tài)。
國產(chǎn) EDA 工具在 28nm 以上工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)全流程覆蓋，概倫電子的納米級仿真工具服務(wù)超過 200 家設(shè)計(jì)企業(yè)。在材料領(lǐng)域，南大光電的 ArF 光刻膠在 55nm 節(jié)點(diǎn)取得突破，安集科技的拋光液在 3D NAND 領(lǐng)域獲長江存儲批量訂單。這些生態(tài)要素的正向循環(huán)，構(gòu)建起自主可控的產(chǎn)業(yè)護(hù)城河。
五、地緣博弈下的產(chǎn)業(yè)終局：從替代到超越的發(fā)展路徑
盡管關(guān)稅反制短期內(nèi)推高進(jìn)口成本，但促使本土供應(yīng)鏈完成“壓力測試”。據(jù)賽迪顧問測算，2025 - 2027 年中國半導(dǎo)體自給率將年均提升 3.2 個百分點(diǎn)，2030 年有望達(dá)到 70%的政策目標(biāo)。在 Chiplet、光子芯片、量子計(jì)算等前沿領(lǐng)域，中國企業(yè)與美國巨頭處于同一起跑線。壁仞科技的 BR104 AI 芯片采用 Chiplet 架構(gòu)，算力達(dá)國際領(lǐng)先水平；國盾量子的光子芯片在量子通信領(lǐng)域建立技術(shù)優(yōu)勢。
隨著本土產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，中國大陸在全球晶圓產(chǎn)能中的占比將從 2024 年的 16%提升至 2027 年的 22%。這一產(chǎn)能轉(zhuǎn)移是中國市場紅利的自然延伸和技術(shù)積累的質(zhì)變結(jié)果。
當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的攻防轉(zhuǎn)換，本質(zhì)上是科技自立與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)的立體博弈。中國借助“規(guī)則重構(gòu) - 資本賦能 - 技術(shù)突破”的戰(zhàn)略組合，改寫全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。當(dāng)關(guān)稅戰(zhàn)的外部沖擊轉(zhuǎn)化為國產(chǎn)替代的內(nèi)部動力，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望實(shí)現(xiàn)從“并跑”到“領(lǐng)跑”的歷史性跨越。這場無聲的戰(zhàn)爭，將彰顯開放創(chuàng)新與市場規(guī)律的強(qiáng)大力量。
參考資料：
